標題: 偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究(II)
Epitaxial Growth of Diamond on Nonconductive Substrates by Biasing Enhanced Method(II)
作者: 張立
CHANG LI
交通大學材料科學與工程研究所
關鍵字: 磊晶;鑽石;Epitaxial growth;Diamond
公開日期: 2000
官方說明文件#: NSC89-2216-E009-006
URI: http://hdl.handle.net/11536/99028
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=536593&docId=98403
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