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dc.contributor.author吳啟宗en_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:40:49Z-
dc.date.available2014-12-13T10:40:49Z-
dc.date.issued1993en_US
dc.identifier.govdocNSC82-0404-E009-284zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/97837-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=64592&docId=9537en_US
dc.description.abstract本計畫是以量子力學方法研究像□-V半導體內, 在交叉垂直電場和磁場交互作用下之熱電子電輸 現象所產生之效應.在溫度相當高之情況下或極 低磁場下,電流與電壓之關係呈現出非線性關係. 電子之電輸過程可由電場強度,溫度梯度或濃度 梯度產生.對於後者所引起之電輸可能使材料產 生由一部份之能量輸入另外一部份.可是電子本 身卻無法藉此種電輸過程經電場由外界能源獲取 能量.然而,當電輸是經由電場引起產生時,電子可 由電場之直接能源持續不斷地供給能量,使電子 系統之全部能量一直不斷地增加.康威爾(Conwell)研究過電子與聲子或不純物作用之 充份條件.對於□-V化合物半導體,一些重要的散 射機構在高磁場下將扮演重要的角色:(i)聲振子散射;(ii)壓電散射;(iii)極化光振子散射;和(iv)游離不純物散射.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject熱電子zh_TW
dc.subject交叉垂直電場和磁場zh_TW
dc.subject能帶結構zh_TW
dc.subject聲振子散射zh_TW
dc.subject壓電散射zh_TW
dc.subject極化光振子散射zh_TW
dc.subject游離子不純物散射zh_TW
dc.subject非拋物線模型zh_TW
dc.subjectHot-electronen_US
dc.subjectThe crossed applied electric and magnetic fieldsen_US
dc.subjectEnergy bandstructureen_US
dc.subjectAcoustic phonon scatteringen_US
dc.subjectPiezoelectric scatteringen_US
dc.subjectPolaroptical phonon scatteringen_US
dc.subjectIonized-impurity scatteringen_US
dc.subjectNonparabolic bandmodelen_US
dc.title高磁場對於半導內熱電子散射機構之效應zh_TW
dc.titleEffect of High DC Magnetic Fields on Hot-Electron Scattering Mechanisms in Semiconductorsen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學電子工程學系zh_TW
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