標題: 蕭特基能障金氧半電晶體元件研製與理論分析---子計畫II:蕭特基能障SOI金氧半電晶體元件研製與分析
Fabrication and Characterization of SOI Schottky Barrier MOSFET
作者: 黃調元
TIAO-YUANHUANG
國立交通大學電子工程學系
關鍵字: 蕭特基能障;絕緣矽;金氧半導體場效電晶體;Schotty barrier;Silicon-on-insulator (SOI);MOSFET
公開日期: 2001
官方說明文件#: NSC90-2215-E009-080
URI: http://hdl.handle.net/11536/96752
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665749&docId=126386
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