標題: 蕭特基能障金氧半電晶體元件研製與理論分析---總計畫
Fabrication, Characterization, and Theoretical Analysis on Schottky Barrier MOS Devices
作者: 黃調元
TIAO-YUANHUANG
國立交通大學電子工程學系
關鍵字: 蕭特基能障;理論分析;金氧半導體元件;Schotty barrier;Theoretical analysis;MOS device
公開日期: 2001
官方說明文件#: NSC90-2215-E009-079
URI: http://hdl.handle.net/11536/96696
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665743&docId=126385
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