標題: 有機金屬氣相磊晶法成長砷化銦鎵與砷化銦量子點特性研究
Study the Characteristics of InGaAs and InAs Quantum Dots Grown by MOCVD
作者: 李威儀
LEE WEI-I
國立交通大學電子物理學系
關鍵字: 砷化銦鎵;砷化銦;量子點;有機金屬氣相磊晶法;InGaAs;InAs;Quantum dot;MOCVD
公開日期: 2001
官方說明文件#: NSC90-2112-M009-041
URI: http://hdl.handle.net/11536/95476
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=639680&docId=119712
顯示於類別:研究計畫


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