標題: 8吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---總計畫(II)
Research and Development of LPCVD Process Equipment for Eight Inch Single Silicon Wafer(II)
作者: 林清發
LIN TSING-FA
交通大學機械工程系
關鍵字: 反應爐;薄膜成長;熱流;迭代法;熱輻射;Reactor;Thin film grow;Thermal fluid;Iterative method;Thermal radiation;LPCVD
公開日期: 1998
摘要: 本整合性群體研究計畫將以三年時間85年8月至88年7月改進目前LPCPD製程設備設計,經由分析、實驗量測及實作,建立一套新的LPCPD製程設備。特別針對化學蒸氣進氣系統、加熱系統及成長未來深具潛力之Ta2O5薄膜,進行深入研究。本群體研究計畫共有四個子計畫。第一子計畫擬改進加熱及進氣系統設計,模擬計算化學蒸氣流場及整個系統之設計與整合。第二子計畫將量測加熱燈之能譜及輻射熱傳分佈,並進行晶圓熱應力之分析。第三子計畫計算晶圓之輻射熱傳及其受加熱燈排列之影響。第四子計畫將調配化學蒸氣成長Ta2O5薄膜,並檢測分析其性質。這些子計畫將以interactive 及iterative 的方法整合在一起,一步步改進系統設計及設備。在第一年的研究裡(85年8月至86年7月)我們已完成設計快速加熱之LPCV反應爐,現在正在建造中。建好後,將進行加熱及進氣系統測試。另外,我們亦正在進行LAMPS之頻譜'強度量測,爐內熱輻射分佈計算及TA2O5薄模製程規劃。第二年研究(86年8月至87年7月)重點在於整合第一年之研究成果,用以改進LPCVD反應爐設計。
官方說明文件#: NSC87-2218-E009-005
URI: http://hdl.handle.net/11536/95049
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=340905&docId=60781
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