標題: 三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫二:GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與物理特性之研究(II)
Characterization and Growth of GaN Related Compounds and Their Heterostructures(II)
作者: 陳衛國
WEI-KUOCHEN
交通大學電子物理系
關鍵字: 半導體材料;薄膜;物理特性;Semiconducting material;Thin film;Physical property
公開日期: 1998
官方說明文件#: NSC87-2112-M009-021
URI: http://hdl.handle.net/11536/94994
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=370223&docId=66503
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