標題: 等價位氮化物元件結構製備與相關物理特性研究(I)
Characterizations and Fabrications of Isoelectronic Doped Nitride Device Structures(I)
作者: 陳衛國
WEI-KUOCHEN
國立交通大學電子物理學系
關鍵字: 等價位氮化物;特性;元件;Isoelectronic nitride;Characterization;Device
公開日期: 2001
官方說明文件#: NSC90-2112-M009-044
URI: http://hdl.handle.net/11536/93578
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=639691&docId=119715
Appears in Collections:Research Plans


Files in This Item:

  1. 902112M009044.pdf
  2. 902112M009044.pdf