標題: 等價位氮化物元件結構製備與相關物理特性研究(II)
Characterizations and Fabrications of Isoelectronic Doped Nitride Device Structures(II)
作者: 陳衛國
WEI-KUOCHEN
交通大學電子物理系
公開日期: 2002
官方說明文件#: NSC91-2112-M009-038
URI: http://hdl.handle.net/11536/93198
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=748745&docId=142120
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