標題: 半導體奈米結構之成長與光電特性研究(I)
Growth and Opto-Electronic Properties of Semiconductor Nano-Structures(I)
作者: 周武清
CHOU WU-CHING
交通大學電子物理系
關鍵字: 分子束磊晶;半導體奈米結構;磊晶動力學;自旋光電元件;自旋動力學;磁光頻譜技術
公開日期: 2004
摘要: 本計畫主要是利用分子束磊晶技術成長半導體奈米結構,以三年時間研究(一)磊晶 動力學(二)半導體奈米結構之光電特性及(三)開發自旋光電元件研究自旋動力學。 一、磊晶動力學: 在奈米結構之磊晶過程中將調整基板溫度、分子束流率、緩衝層厚度 與應變等磊晶參數及磊晶腔內熱回火溫度與時間,並且以選擇性磊晶技術與表面形貌 研究,嘗試對半導體奈米結構之磊晶機制做全盤瞭解,以完全掌控奈米結構之大小尺 寸、密度、形狀及有次序排列。 二、半導體奈米結構之光電特性: 以掃瞄式電子力顯微術及掃瞄式近場光學顯微術研究 單一半導體奈米結構之充電與記憶過程及其發光特性。 三、開發自旋光電元件研究自旋動力學: 利用分子束磊晶技術將磁性半導體或非磁性半 導體奈米結構製作成自旋幫浦、自旋閥、自旋電晶體等元件,並且以具時間解析之磁 光頻譜技術研究自旋載子在傳輸時的自旋蛻變。
官方說明文件#: NSC93-2112-M009-031
URI: http://hdl.handle.net/11536/91638
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=979807&docId=182322
顯示於類別:研究計畫


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  1. 932112M009031.PDF