標題: 系統面板之低溫非揮發性記憶體技術開發與研究
Development of Low-Temperature Nonvolatile Memory Technology for System on Panel Application
作者: 劉柏村
LIU PO-TSUN
交通大學光電工程研究所
關鍵字: 低溫複晶矽;系統面板;非揮發性記憶體元件;粗糙度
公開日期: 2004
摘要: 由於低溫複晶矽薄膜電晶體(Low Temperature Polycrystalline Thin Film Transistor; LTPTFT)具有較佳的電子遷移率(Mobility),因此應用於光電顯示面板 技術時可以有效增加畫素的開口率,此外,亦可做為顯示面板週邊的驅動電路 (Driving circuit),將周邊電路製作在同一面板上,進而達到系統整合於玻璃 (System on Panel; SOP)上的目標。 在一完整的顯示系統面板中的組成,除了薄膜電晶體的陣列之外,還將包 括:輸入/輸出介面、資訊處理單元以及記憶單元;由於將非揮發性記憶體製作 於面板上,可以做為畫面資料的儲存單元,在靜態顯示時能有效節省電力消耗, 並且非揮發性記憶體在不提供電源時仍可保存資料,可以配合電路設計衍生其他 功能、提升面板價值,目前國內各大顯示面板廠商也正積極地評估相關技術發 展,不過有許多關鍵的技術仍有待開發與解決。因此本計畫主要的目標是發展應 用於系統面板上的低溫非揮發性記憶體技術。我們首先研究低溫(< 600oC)穿遂氧 化層的成長,因為穿遂氧化層的電性良否對非揮發性記憶體有決定性的影響。其 次,由於複晶矽薄膜表面的缺陷和粗糙度(Roughness)亦會嚴重影響其上穿遂氧化 層的電性。因此,我們也會針對此一問題加以改善,以獲得最佳的穿遂氧化層/ 複晶矽薄膜介面。最後我們也將製作N-ROM 的垂直結構,並嘗試將儲存介電層 以含氧碳化矽(SiCO)薄膜做取代,希望非揮發性記憶體能有較大的記憶窗口。在 電性分析方面,我們將探討記憶體元件耐力(Endurance),記憶體元件的資料保持 時間(Retention time)、元件操作寫入/抹除(Write/Erase)速度等特性,並對一般傳 統非揮發性記憶體元件做一比較。
官方說明文件#: NSC93-2218-E009-067
URI: http://hdl.handle.net/11536/91376
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1058513&docId=201348
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