標題: 雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(II)
Dual-bit Storage Nitride Trap Flash Memory Device Technology and Reliability(II)
作者: 汪大暉
WANG TAHUI
交通大學電子工程系
公開日期: 2004
官方說明文件#: NSC93-2215-E009-023
URI: http://hdl.handle.net/11536/91361
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026669&docId=195173
顯示於類別:研究計畫


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