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dc.contributor.author黃凱風en_US
dc.contributor.authorHUANG KAI-FENGen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:32:03Z-
dc.date.available2014-12-13T10:32:03Z-
dc.date.issued2004en_US
dc.identifier.govdocNSC93-2112-M009-033zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/91339-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=979816&docId=182324en_US
dc.description.abstract本計劃為三年期計劃,我們將繼續利用分子束磊晶系統成長半導 體二維共振腔結構,製作光電元件並探討在這些光電量子系統中其介 觀物理特性。過去兩年之計畫中我們已發現在微共振腔雷射內包括面 射型垂直共振腔雷射及微型共振腔固態雷射中其高階橫模可與二維 介觀量子共振腔內之波函數做一極佳之對應。在新的三年計畫中我們 將針對在介觀尺度下,量子與古典間之關聯性及其微妙之轉換做一完 整系列之研究探討;利用更大尺度之微共振腔雷射,觀測由低階態逐 漸轉換至極高階態時之共振波函數變化,同調波函數局域化出現之機 制將是我們要探討之重點。另外在高階模態中亦有與古典軌跡不相關 之共振波函數,一般對物理系統的認知是,當尺度極大時或在極為高 階之能量時,古典粒子行為必然出現,但若仍具有量子特性,其與巨 觀量子現象之關係又如何,這也是我們將要探討的另一重點。最後在 介觀系統中,我們初步發現某些特殊同調波函數有極高出現之機率, 其選擇法則(selection rules)亦將是探討之重點。三年期中我們仍 將延續先前超快雷射產生Tera Hz 輻射之研究,同時亦將繼續以分子 束磊晶成長具飽和吸收體反射鏡做超快鎖模雷射之探討。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject微共振腔雷射zh_TW
dc.subject分子束磊晶系統zh_TW
dc.subject波函數侷域化zh_TW
dc.title以分子束磊晶所長半導體光電元件介觀物理之研究(I)zh_TW
dc.titleMesoscopic Physics in Semiconductor Optical Devices Grown by Molecular Beam Epitaxy(I)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學電子物理系zh_TW
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