標題: 次100奈米SOI CMOS的RF/Analog特性分析與模式建立(I)
RF/Analog Modeling and Characterization of Scaled SOI CMOS(I)
作者: 蘇彬
Su Pin
交通大學電子工程系
關鍵字: RF/analog;SOI CMOS;SOC;元件設計;電路模擬;實驗分析與模式
公開日期: 2004
摘要: 在本計畫中我們將對次100 奈米SOI CMOS 的RF/analog 特性作深入研究與 模式建立。利用我們早先完成的統整SOI 低頻元件模型為基礎,我們在本計畫 中所將發展的RF SOI 元件模型將有益於RF 電路模擬以及SOI CMOS 在SOC 的 應用。在本計畫中我們對於前瞻SOI 元件在高頻時的閘極電阻、基極電阻以及 浮動基體等效應的實驗分析與探討,也將有助於使用數位SOI CMOS 技術的 RF/analog 元件設計的最佳化。
官方說明文件#: NSC93-2215-E009-042
URI: http://hdl.handle.net/11536/91167
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026723&docId=195190
顯示於類別:研究計畫