標題: 奈米級先進絕緣層上覆矽(SOI)元件研製與分析
Fabrication and Characterization of Advanced Nano-Scale SOI Devices
作者: 林鴻志
HORNG-CHIHLIN
交通大學電子工程系
關鍵字: 完全矽化金屬閘極;矽化金屬擴散源/汲極;UTB;鰭狀電晶體
公開日期: 2004
摘要: 本計畫將製作與研究UTB (Ultra Thin Body) 與鰭狀場效電晶體(FinEFT) 的FD (Fully Depleted) SOI 元件,配合完全矽化金屬閘極(FUSI)與矽化金屬擴散(SADS)源/汲極 等方式,可以改變元件啟始電壓(Vth)的大小,並將元件應用於低溫製程。由於FD SOI 是利用相當薄且窄小的矽薄膜來控制短通道效應,在通道處最好沒有任何摻雜,以減少 參數擾動(parameter fluctuation)的效應,所以早期傳統以離子植入方式調變起始電壓的 方法對於此類元件並不適用。藉由改變閘極功函數來調變啟始電壓,是另一種可行之 道;在本計畫中,藉由改變金屬矽化閘極中的雜質型態與濃度,來達到此目的,並進一 步探討矽化金屬閘極對於元件特性的影響,矽化金屬閘極與閘極介電層材料之間的關 係,雜質在矽化金屬中擴散速度。最後研究矽化金屬擴散與傳統離子植入源/汲極,對 於應用於FD SOI 元件上之差異性,並冀望能發展出一高性能但低製程溫度的先進奈米 級CMOS 製程。
官方說明文件#: NSC93-2215-E009-078
URI: http://hdl.handle.net/11536/91127
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026826&docId=195218
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