標題: 一維矽奈米線成長機制與控制之研究(I)
The Researches of Growth Mechanism and Control of One-Dimensional Silicon Nanowires(I)
作者: 鄭晃忠
CHENG HUANG-CHUNG
交通大學電子工程系
關鍵字: 矽奈米線;低壓化學沉積
公開日期: 2004
摘要: 近年來因為矽奈米線具有一維量子現象以及較高的表面積等等特殊性質,使得矽奈米線具有極大的潛力研發特殊的奈米元件,如:化學感應器、生物感應器、場效電晶體…等等。然而,因為其成長機制以及定位方法仍尚未十分成熟,故在實際的應用上仍未不廣泛,也未商業化;本計畫將利用低壓高溫爐管的方式成長矽奈米線、研究其成長機制以找出最佳成長條件,並設計定位定像之成長方法,以利之後元件的設計,最後的目標則是將矽奈米線設計成實際的元件,達到實質的應用。 本計畫將分三年度進行:計畫第一年的研究重點是於矽奈米管的成長機制建立,找出各項條件,如:壓力、流量、溫度、催化金屬種類…等等與成長結果之間的關係,以及找出機台之最佳成長條件。計畫第二年的研究重點在於尋找適當的溶劑使矽奈米線能均勻的分散於溶劑中,進而以沉積或旋乾的方法塗佈於晶圓上。計畫第三年的研究重點在於以結構設計的方法完成矽奈米管的定位以及定向成長。
官方說明文件#: NSC93-2215-E009-045
URI: http://hdl.handle.net/11536/91101
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026733&docId=195193
顯示於類別:研究計畫


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