標題: 具有形變通道之互補式金氧半元件製作與分析
Fabrication and Characterization of CMOS Devices with Strained Channel
作者: 黃調元
TIAO-YUANHUANG
交通大學電子工程系
關鍵字: 形變矽;形變矽鍺;矽鍺虛擬基板;合金散射;負偏壓溫度不穩定性
公開日期: 2004
摘要: 本計畫將製作具有形變矽、形變矽鍺表面通道之金氧半場效電晶體於矽鍺虛擬基板 上。伸張形變矽可提高電子與電洞移動率,壓縮形變矽鍺可提高電洞移動率,本實驗將 探討載子於不同晶向(100)、(110)與通道方向上<100>、<110>行進,形變對載子移動率 的作用;此外,當形變通道厚度縮減後所遇到的鍺層間擴散、額外的合金散射、界面密 度的增加等因素亦探討之;最後,高溫引致的形變釋放、矽鍺金屬矽化反應、矽鍺內摻 質擴散率的改變、電性上的自動加熱效應、負偏壓溫度不穩定性等等製程與分析問題與 載子移動率的關係,亦涵蓋在計畫的研究內。
官方說明文件#: NSC93-2215-E009-033
URI: http://hdl.handle.net/11536/90988
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026694&docId=195181
顯示於類別:研究計畫


文件中的檔案:

  1. 932215E009033.pdf