標題: 將發光二極體結構轉移到銅基材以製作高功率發光二極體(I)
Transferring LEDs to Cu Substrate for High Power LEDs(I)
作者: 吳耀銓
YEWCHUNG SERMONWU
交通大學材料科學與工程系
公開日期: 2005
摘要: 藉著前一系列的計畫,銅基材上的高功率發光二極體已經被我們製作出 來,且發表在APL 期刊,引起各界之注意。研究中利用氧化銦錫(ITO)當作散 阻礙層將磷化鋁銦鎵發光二極體晶圓接合在銅基材上。被接合在銅基材上的發光 二極體元件能夠更高的順向注入電流下操作,而此發光二極體的發光強度比一般 砷化鎵基材發光二極體高出約三倍之多。這顯著改善的原因是因為金屬銅基材具 有較高的熱傳導率。然而,銅金屬是延展性佳的材料,因此,在整個元件的製做 過程中,易造成發光二極體元件毀壞(尤其是在切割晶粒時)。為了改善這問題, 在這計畫,三個方法將被提出來用以解決這問題:1) 將銅金屬直接選擇性的電 鍍在發光二極體結構;2) 利用晶圓接合技術將發光二極體結構轉移到已經鍍銅 的矽基材上;3)在矽基材上製作規則的凹槽陣列,接著將銅電鍍到這規則的陣列 上,再將發光二極體的結構接合到此係矽基材上。所用的發光二極體將包括現今 較熱門的氮化鎵(GaN)系列與砷化鎵(GaAs)系列。這些方法將可提升製造高 功率發光二極體之良率。
官方說明文件#: NSC94-2216-E009-015
URI: http://hdl.handle.net/11536/90769
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1145268&docId=219799
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