標題: 局部與全面性形變應力矽通道金氧半電晶體之特性與可靠度分析
Characteristics and Reliability of Local and Global Strained-Si Channel MOSFET
作者: 黃調元
TIAO-YUANHUANG
交通大學電子工程系
關鍵字: 全面與局部形變矽;載子移動率;載子通道背向散射;負偏壓溫度不穩定性
公開日期: 2005
摘要: 本計畫是探討全面(雙軸)與局部(單軸)形變矽通道之金氧半元件製作與特性分析, 全面形變是製作具有形變矽於矽鍺虛擬基板上,而局部形變是以利用LPCVD 沉積氮化 矽產生伸張應力,與矽鍺磊晶源汲極產生壓縮應力,分別製作於NMOS 與PMOS 之上。 同時我們也將嘗試調整PECVD 沉積條件,以得到具有壓縮形變應力之氮化矽層沈積。 本實驗將探討形變應力對移動率,載子通道背向散射的影響,以及負偏壓溫度不穩定性 分析;此外,因鍺層間擴散使形變通道厚度縮減的現像、額外的合金散射、界面密度的 增加等因素亦將探討之;最後,氮化矽之特性分析、高溫引致的形變釋放、矽鍺金屬矽 化反應、矽鍺內摻質擴散率的改變、電性上的自動加熱效應等等,製程分析問題與載子 移動率的關係,亦涵蓋在計畫的研究內。
官方說明文件#: NSC94-2215-E009-065
URI: http://hdl.handle.net/11536/90729
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1144004&docId=219411
顯示於類別:研究計畫


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