標題: 雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(III)
Dual-Bit Storage Nitride Trap Flash Memory Device Technology and Reliability(III)
作者: 汪大暉
WANG TAHUI
交通大學電子工程系
公開日期: 2005
官方說明文件#: NSC94-2215-E009-004
URI: http://hdl.handle.net/11536/90632
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1143833&docId=219363
顯示於類別:研究計畫


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  1. 942215E009004.PDF