標題: 具有溫度補償之壓控石英振盪器之研製
FabFabrication of Temperature-Compensated Voltage-Controlled Crystal Oscillators
作者: 高曜煌
KAO YAO-HUANG
交通大學電信工程系
關鍵字: TCXO;溫度補償壓控震盪器;溫度補償;壓控震盪器
公開日期: 2005
摘要: 隨著通訊產業的成長,越來越多的系統其複雜度越來越高而體積愈來愈小,頻率控制愈 來愈嚴格,在手機中常用VCTCXO,積體化的要求也越來越高。傳統的TCXO 使用熱敏電阻 網路來達成溫度補償的目的,但無法以積體化來實現。數位式的溫度補償雖已問世多年,但 其卻有頻率跳動的問題。新式的溫度補償積體化電路[1],使用類比方式來做溫度補償,但其 需使用BiCMOS 製程,為一較昂貴之製程。 本次計畫,我們使用全互補式金氧半(CMOS)製程達到AT-cut 所需三次方函數(Cubic functional)溫度補償效果,優點為製程便宜。在振盪器電路方面則希望內部有足夠的電容開 關陣列來提供高解析度的校正,且可變電容所能調動的頻率變動範圍需能滿足石英晶體受溫 度變化的頻率偏移,且相位雜訊在10Hz offset –80dBc/Hz,為了減低製程偏移的影響,而影 響補償曲線,所以我們採取common-centroid layout 以降低製程影響,同時在金氧半(MOS) 的尺寸選擇上,採用長通道來減低通道長度調變效應,最後設計了數位的控制機制以便能使 原本偏移的輸出補償曲線可以正確無誤的調整回來。補償電路的數位控制與振盪器的電容開 關陣列控制將以EEPROM 來控制,以台積電(TSMC)2P4M 0.35um mixed-mode 的CMOS 製程來實現。
官方說明文件#: NSC94-2215-E009-074
URI: http://hdl.handle.net/11536/90569
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1144032&docId=219420
顯示於類別:研究計畫


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  1. 942215E009074.PDF