標題: 氣化氫氟酸在奈米金氧半電晶體之應用及其設備之開發(I)
Processes and System Development of HF-vapor for Nano MOSFETs$ Application(I)
作者: 趙天生
TIEN-SHENGCHAO
交通大學電子物理系
公開日期: 2005
摘要: 在我們之前的研究成果,已經可以感受到氣化氫氟酸可以明顯改進氧化層與矽界 面。為能符合奈米電子技術發展所需之各種技術,我們在第一年、第二年將氣化氫 氟酸應用在最新的技術,包含第一年目標:氣化氫氟酸不同晶向之遷移率影響,及 其對絕緣層界面品質改進之機制研究、利用氣化氫氟酸製作系統晶片所需之高品質 雙閘極氧化層;第二年目標:氣化氫氟酸對local strain n 型及p 型金氧半電晶體遷 移率之影響、氣化氫氟酸對SiGe-(100), -(110), -(111) 之閘極氧化層品質及n 型及p 型金氧半電晶體遷移率之影響等。然而對氣化氫氟酸而言,在純度及安全性皆需考 慮下,因此我們希望在計劃第三年能製作新一代較為安全的原型氣化氫氟酸系統。
官方說明文件#: NSC94-2215-E009-071
URI: http://hdl.handle.net/11536/90382
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1144023&docId=219417
顯示於類別:研究計畫


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  1. 942215E009071.PDF