標題: 氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究---子計畫一:氧化鋅光電半導體能隙調整及磊晶成長研究(III)
Study of Bandgap Tuning and Epitaxial Growth of Zinc Oxide Semiconductors(III)
作者: 張立
CHANG LI
國立交通大學材料科學與工程學系(所)
公開日期: 2007
官方說明文件#: NSC96-2221-E009-008
URI: http://hdl.handle.net/11536/88628
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1434384&docId=256491
顯示於類別:研究計畫


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  1. 962221E009008.PDF