標題: 次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬
Sub-32nm CMOS Device Reliability, Quantum Structure Effects and Carrier Transport Simulation by Using a Monte Carlo Method
作者: 汪大暉
WANG TAHUI
國立交通大學電子工程學系及電子研究所
關鍵字: 32 奈米CMOS;電荷傳輸;可靠性;單電子效應;蒙地卡羅;能帶結構;量子效應;32nm CMOS;charge transport;reliability;single charge phenomena;Monte Carlo;band-structure;quantum effect
公開日期: 2007
摘要: 當CMOS 元件微縮至32 奈米以下,無論在元件結構,材料與載子傳輸理論方面,均將發生重 大變化與挑戰。在本計劃內,吾人將針對先進CMOS 元件,例如,含形變之矽/鍺通道,高介電係 數/金屬閘極及具量子結構之元件,進行理論與實驗研究。在可靠度方面,吾人將延續在前期計畫 中所發展之單電子量測技術,研究新式閘極介電層材料之缺陷及其對載子移動率(carrier mobility) 之影響,並探討限制元件微縮之可靠性議題,如電流雜訊等。 在理論計算方面,吾人將以先前所發展之蒙地卡羅模擬為基礎,並配合載子能帶結構之計 算,研究各種增進載子移動率之技術,內容涵蓋具形變之元件通道,極短通道內載子之特殊傳輸 效應(velocity overshoot and ballistic motion),及具量子結構之元件特性(例如FinFET, quantum well channel),上述研究將著重於含量子結構與形變能帶結構之計算,綜合本計劃之研究目標,一為 利用吾人在元件可靠性量測方法之突破(單電子效應量測),探討元件在微縮過程中新的材料與新 的元件結構所產生可靠性議題及相關物理機制,另一方面,針對目前各種新式元件提供一具量子 效應之蒙地卡羅模擬,以探討各種增進載子速度方法之理論基礎與極限。
官方說明文件#: NSC96-2628-E009-165-MY3
URI: http://hdl.handle.net/11536/88409
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1463247&docId=262210
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