標題: 鍺銻碲相變化薄膜的電氣性質與相變化行為之研究
Electrical Properties and Phase Transition Behaviors of GeSbTe Phase-change Thin Films
作者: 陳沿州
謝宗雍
材料科學與工程學系
關鍵字: 鍺銻碲;鉬摻雜;活化能;Avrami指數;氮摻雜;相變化記憶體;GeSbTe;molybdenum doping;activation energy;Avrami coefficient;nitrogen doping;phase-change memory
公開日期: 2007
摘要: 相變化記憶體(Phase-change Random Access Memory,PRAM)被譽為下一世代 的電子式記憶媒體。本論文以自組之電性量測系統測量鍺銻碲(GeSbTe)相變化記憶 體薄膜之電氣性質, 量測所得代入Percolation 理論模型與 Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov(JMAK)方程式分析及其相變化過程之結晶相之成 長機制,並比較摻雜氮(N)與鉬(Mo)對GeSbTe薄膜之電性與相變化行為的影響。 實驗結果顯示,GeSbTe薄膜之非晶態-晶態相變化活化能(Activation Energy,Ea)有隨 膜厚的減少而降低之趨勢,對不同膜厚之試片,JMAK方程式之分析顯示其有不同的結 晶相成長模式,膜厚為100 nm試片,成長方式為在表面形成球狀結晶,再往垂直試片方 向成長;20 nm試片則形成介於圓柱與球狀的成長方式。氮與鉬的摻雜之GeSbTe薄膜之 相變化活化能與結晶溫度均提昇,其原因為推測為晶粒細化所致。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009418527
http://hdl.handle.net/11536/81173
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