標題: 應用於金氧半元件之高密度電漿蝕刻之研究
Study of high density plasma etching for MOS devices
作者: 康宗貴
鄭晃忠
電子研究所
公開日期: 1996
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT856430109
http://hdl.handle.net/11536/62543
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