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dc.contributor.author蔡瑞津en_US
dc.contributor.authorCai, Rui-Jinen_US
dc.contributor.author褚德三en_US
dc.contributor.authorChu, De-Sanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:11:27Z-
dc.date.available2014-12-12T02:11:27Z-
dc.date.issued1992en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT814429003en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/57480-
dc.description.abstract在本論文中我們研究電子與聲子交互作用對量子點中雜質能階的影響。我們計算在不 同位能井中電子與聲子交互作用效應的總束縛能。當位能井的半徑愈來愈小時,電子 與聲子交互作用效應就愈大。我們也應用我們的模型到半導體的情形。我們發現電子 與聲子交互作用效應在半導體中並不大。然而電子與聲子交互作用對雜質位在半導體 量子點中心位置的束縛能的影響會隨著位井半徑的逐漸減小而增加。結果指出電子與 子交互作用效應在小量子點中是非常重要的。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject電子物理zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTROPHYSICSen_US
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title電子與聲子交互作用對量子點雜質能階的影響zh_TW
dc.titleEffects of electron-phonon interaction on the state energy of hydrogenic-impurity in quantum doten_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
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