標題: 使用複晶矽(非晶矽)為擴散源形成複晶矽化鈦淺椄面之研究
The study of titanium-polycided shallow junctions formed by outdiffusion of BF□﹢/As﹢ from polycrystalline/amorphous silicon
作者: 黃正同
HUANG, ZHENG-TONG
雷添福
李崇仁
LEI, TIAN-FU
LI, CHONG-REN
電子研究所
關鍵字: 複晶矽;擴散源;複晶矽化;鈦淺接面研究
公開日期: 1991
摘要: 在本論文中,將使用一種特殊方法來形成一個超淺接面的二極體,這方法包含了以 BF□或As﹢植入複晶矽或非複晶矽,然後再經高溫度退火處理,將植入的雜質擴散 到矽基座內來形一淺接面。實驗中,我將嘗試改變佈植能量,佈植劑量和複晶矽厚 度以及不同的退火處理溫度對漏電流的影響。對P﹢-N 二極體而言,在低的佈植劑 量經過攝氏950 度的退火處理和攝氏820 度的矽化鈦形成溫度,將能獲得一個接面 深度大約0.11微米,漏電流密度大約0.5 奈安培╱平方公分,理想因數相當接近1 以及崩潰電壓大於100伏特性能極佳之二極體。對P﹢-N二極體而言,雖因複晶矽厚 度不同而有不同大小的晶細胞,但對漏電流影響並不大。一個經過佈植能量80KeV ,佈植劑量1×10□ ╱平方公分,將有一個漏電流密度小於1奈安培╱平方公分, 而對佈植能量60KeV ,佈植劑量1.5×10□ 奈安培╱平方公分,將有一個漏電流密 度小於0.6 奈安培╱平方公分。兩者崩潰電壓皆大於55伏特。從實驗結果發現,由 於雜植的損害大部分留在複晶矽或非複晶矽中,因此大部分的漏電流來自周邊的影 響,但經鍍鋁和攝氏350 度25分鐘的退火處理後,產生氫被覆的影響,而使漏電流 減低以及理想因數也改善了。所以此方法可利用在金氧半電晶體的源極和汲極,使 得較低之片電阻〔3∼4歐姆╱平方公分〕,且有令人可接受的低漏電流,對於在 超大型積體電路的應用上,此方法是非常吸引人的。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430005
http://hdl.handle.net/11536/56034
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