標題: 鎢矽氮化物和鈦鎢矽化物在砷化鎵上蕭基接觸之研究
The study of reactively sputtered WSiN and TiWSi as schottky contacts to GaAs
作者: 朱美鈴
JU, MAY-LING
張翼
CHANG, Y.
材料科學與工程學系
關鍵字: 砷化鎵;鈦鎢矽化物
公開日期: 1991
摘要: 砷化鎵半場效電晶體的自我調整閘製程中,閘極材料必需在高溫退火後仍能與砷化 鎵晶片保持良好的蕭基接觸。此研究即以反應式射頻濺鍍的鎢矽氮化物和鈦鎢矽化 物做為砷化鎵上之蕭基接觸,並探討其蕭基特性在不同退火溫度和濺鍍膜的矽含量 下的影響。 鎢矽氮化物薄膜是在混合的氮氣和氬氣的氣氛下濺鍍完成的,當膜中矽含量愈高時 ,鎢矽氮化物的結晶溫度也愈高,而且介面熱穩定性較佳,即使經過 950℃退火處 理,仍然保持非晶狀結構,而有效的抑制砷和鎵往外擴散,維持良好的蕭基特性。 鈦鎢矽化物薄膜是在氬氣氣氛中濺鍍形成的,當膜中矽與鎢的原子比例為0.36時, 高溫退火後會形成單一的 W□Si□,而且其與砷化鎵的蕭基接觸特性比其它成分的 薄膜穩定。鈦原子會加速鎢矽化物的形成,並降低結晶溫度,此外,高溫退火時, 鈦原子非常容易擴散至砷化鎵基材,而且砷原子也會擴散至薄膜,造成介面孔洞的 形成,因此退火後電性較差。 比較鎢矽氮化物和鈦鎢矽化物的特性,可知鎢矽氮化物是較適合做為電晶體的閘極 材料。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802159002
http://hdl.handle.net/11536/55767
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