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dc.contributor.author桌定龍en_US
dc.contributor.authorZHUO,DING-LONGen_US
dc.contributor.author潘犀靈en_US
dc.contributor.author張振雄en_US
dc.contributor.authorPAN,XI-LINGen_US
dc.contributor.authorZHANG,ZHEN-XIONGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:08:11Z-
dc.date.available2014-12-12T02:08:11Z-
dc.date.issued1990en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124025en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/55214-
dc.description.abstract我們使用半絕緣性砷化鎵,摻鉻之砷化鎵,經氫離子轟擊之砷化鎵及以MBE 低溫磊晶 砷化鎵,製成同結構合並式之光導開關,除量測元件特性做比較外,並應用於電光取 樣系統及作光電諧波混頻器之應用。 在電光取樣系統,目前已有10ps左右解析能力,相當於100 GHz 。而低溫砷化鎵亦具 有10.6ps左右的時域響應, 且此一結果目前為最受限於電光取樣系統的量測頻寬及雷 射本身脈衝寬度。如扣除限制, 低溫砷化鎵之時域響應約為1.6ps 左右。在暗電流方 面, 外加30V 電壓時, 僅約0.0027A,而靈敏度在外加30V 的電壓以連續光入射時約為 0.027A╱W,以脈衝入射時約為0.035A╱W。 在作光電諧波混頻器時, 用來使光脈衝與微波信號同步, 目前已可同步至12GHz , 且 利用此一系統來量測光導開關之頻寬, 比傳統之量測能獲得較寬的量測頻寬且信號強 20dB以上。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject砷化鎵zh_TW
dc.subject光導開關zh_TW
dc.subject半絕緣性砷化鎵zh_TW
dc.subjectMBE低溫磊晶砷化zh_TW
dc.subject光電諧波混頻器zh_TW
dc.subject電光取樣系統zh_TW
dc.subject光脈衝zh_TW
dc.subject微波信號zh_TW
dc.title砷化鎵光導開關之應用及其研究zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
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