標題: 在雙載子互補式金氧半環境下埋入層對 n通道金氧半電晶體元件特性之效應
作者: 董育誌
DONG,YU-ZHI
陳明哲
CHEN,MING-ZHE
電子研究所
關鍵字: 雙載子互補式金氧;埋入層;n 通道金氧半電晶;多功能高性能大型;低功率消耗;高包裝密度;磊晶;基底電流
公開日期: 1989
摘要: 雙載子互補式金氧半技術廣泛地被認為能夠提供具多功能高性能大型積體電路的可能 方法。這是因為雙載子互補式金氧半技術有雙載子大型積體電路的高推動力結合互補 式金氧半大型積體電路的低功率消耗和高包裝密度。對於高功能雙載子互補式金氧半 而言,磊晶和埋入層是必要和有利的。對於互補式金氧半而言,磊晶和埋入層可增進 鎖住的免疫力,減少基底電流的衝擊。對於雙載子電晶體而言,磊晶和埋入層可以減 低集極阻值,壓制集極努力都集中在影響主要元件特性的埋入層攙雜分佈的最佳化。 以前的研究,大部份都集中在隔離埋入層對元件特性的影響。在本論文裡,我們研究 在雙載子互補式金氧半環境下埋入層對負通道金氧半電通道金氧半元件特性受到埋入 層的向上擴散和不同磊晶層厚度的影響,例如,臨界電壓,互導,漏電流,次臨界掃 動,穿透效應,接面電容。從模擬結果,我們獲知的製程步驟。我們也推導出一個簡 單的臨界電壓模型,假設埋入層為三角形的分佈來解釋埋入層向上擴散,造成臨界電 壓的移動,與傳統的步階形分佈比較,更適合解釋埋入層對臨界電壓的影響。最後, 我們得到有關元件在截止狀態下埋入層位址與分佈形態的最佳設計資料。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430117
http://hdl.handle.net/11536/54729
Appears in Collections:Thesis