標題: 氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井奈米柱光學特性之研究
Optical Properties of InGaN/GaN Multiple-Quantum Well Nanorods
作者: 歐陽妙佳
Miao-Chia Ou Yang
王興宗
S. C. Wang
光電工程學系
關鍵字: 氮化銦鎵/氮化鎵 多重量子井;奈米柱;顯微光激螢光;光激螢光;螢光激發光;InGaN/GaN MQW;nanorod;micro-PL;PL;PLE
公開日期: 2003
摘要: 在本論文中,我們利用光激發螢光(PL)、螢光激發光(PLE)、顯微光激螢光(μ-PL)等光譜技術,來分析含有氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)多重量子井(Multiple-Quantum Well, MQW)結構奈米柱(nanorods)的光學特性。 由光譜量測可以得知,奈米柱相對於一般塊材(bulk),會有114 meV的藍移(blue shift),這是由於蝕刻成奈米柱後,材料內部會有部分的應力被釋放,導致減少了約0.45MV/cm的壓電場,使原本受壓電影響而傾斜的能帶變的平緩些,進而使躍遷的能量產生藍移的現象。此外,我們更發現奈米柱能夠有效的提升17倍的發光強度,這是由於蝕刻成奈米柱後,增加了能夠出光面積與活性層體積的比例,提高光的抽出效率;以及壓電被減小後,增加了電子與電洞再結合的機率,使光強度變強。此外,藉由化學性濕蝕刻的表面處理方式,改善了奈米柱中由乾蝕刻所帶來的傷害,降低輻射性再結合的速度,使發光強度再增加18%。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009124505
http://hdl.handle.net/11536/53857
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