標題: SELECTIVE EPITAXY ON SILICON BY ATMOSPHERIC-PRESSURE SIH4-HCL CVD
作者: HSIEH, TP
LEE, CL
LEI, TF
電控工程研究所
Institute of Electrical and Control Engineering
公開日期: 1-三月-1986
URI: http://hdl.handle.net/11536/4765
ISSN: 0013-4651
期刊: JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
Volume: 133
Issue: 3
起始頁: C105
結束頁: C105
顯示於類別:期刊論文