標題: 新型微小高Q 值電感之分析、設計及模型建立
Analysis, Design and Modeling of Novel Miniature High
作者: 許伯驊
林育德
電信工程研究所
關鍵字: 電感;小面積;3D;對稱型;RF;CMOS;Inductors;3D;symmetry
公開日期: 2003
摘要: 本論文因應無線通訊射頻電路對高品質電感的需求,提出有別於傳統 架構,極具創意之高Q值,小面積電感。當今CMOS VLSI 0.18um technology 提供6 層金屬和一層多晶矽,使得電感設計有更多發揮的空間,想要設計出Q 值高,面積小之電感不再是夢想。Q 值、L 值及面積是電感之重要參數,一般由晶圓廠提供之電感Q 值不高又佔面積,以TSMC 0.18um 1P6M technology 為例提供的是方形電感,Q < 8,Area > 0.0467mm2,UMC 0.18um 1P6M 提供的是圓形電感,Q < 19.41,Area > 0.06 mm2。下線實作部分(tapeout),TSMC 及UMC 都有實作經驗,但以UMC 為主,最後有做本案設計之電感與UMC 電感之比較。另外,本文亦提供相當準確之電感模型,並與量測結果做比較,以利電路設計者參考使用。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009113607
http://hdl.handle.net/11536/46957
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