標題: 正型氧化鋅薄膜之製備及電學性質之研究
The preparation of P-type ZnO thin films and the research for the electrical characteristics
作者: 鍾文駿
曾俊元
電子研究所
關鍵字: 氧化鋅;ZnO
公開日期: 2003
摘要: 隨著光電產業的蓬勃發展,氧化鋅也廣泛地應用在光電材料方面。氧化鋅具有獨特的性質,例如:具有寬及直接能隙的半導體、激發光的波長為短波長(藍光)。本實驗專注於成長P型氧化鋅薄膜之製備及氧化鋅薄膜之電學性質討論,在簡介中,可以了解一般氧化鋅薄膜之應用及目前用來參雜P型氧化新的參雜元素還有成長P型氧化鋅困難的原因。在結果與討論中,由氧化鋅薄膜的電學性質分析,吾人發現用純的氮氣成長的氧化鋅薄膜特性並不好,雖有P型氧化鋅薄膜的產生,但只有在特定條件下才會發生;而用純的笑氣成長的氧化鋅薄膜則呈現出P型,且參雜濃度相當高,而在如此高的參雜濃度之下,飄移率則會下降。在氧化鋅薄膜的物理性質中,吾人發現當溫度越來越高,氧化鋅的晶粒大小會越來越小,且表面平整度會越來越差
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009111573
http://hdl.handle.net/11536/43379
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