標題: HIGH BREAKDOWN P-CHANNEL INSB MOSFET
作者: TU, SL
LAN, WH
CHIOU, TS
YANG, SJ
HUANG, KF
電子物理學系
光電工程學系
Department of Electrophysics
Department of Photonics
公開日期: 1-三月-1990
URI: http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.29.L398
http://hdl.handle.net/11536/4168
ISSN: 0021-4922
DOI: 10.1143/JJAP.29.L398
期刊: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
Volume: 29
Issue: 3
起始頁: L398
結束頁: L400
顯示於類別:期刊論文


文件中的檔案:

  1. A1990CW53200006.pdf