標題: 寬能隙氧化物磊晶薄膜之製造方法
作者: 洪瑞華
李彥助
董俊沂
蔡錫翰
鄭力中
公開日期: 1-Apr-2019
摘要: 本發明為一種寬能隙氧化物磊晶薄膜之製造方法,其利用一氧化物磊晶薄膜形成於基板,使其具較佳之物理特性,例如:電子漂移飽和速度快,介電常數小,熱穩定性好,且耐高溫。此外,由於氧化物磊晶薄膜為採用一有機金屬化學氣相沉積製程,使得氧化物磊晶薄膜之良率大幅提高,並減少磊晶瑕疵。
官方說明文件#: H01L021/205
C23C016/06
URI: http://hdl.handle.net/11536/151530
專利國: TWN
專利號碼: 201913742
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