標題: 半導體裝置及其製造方法
作者: 張翼
劉世謙
黃崇愷
吳佳勳
韓秉承
林岳欽
謝廷恩
公開日期: 1-Jul-2018
摘要: 一種半導體裝置,包含:基材、通道層、阻障層、凹槽、電荷陷阱層、鐵電材料、閘極、源極和汲極。通道層配置於基材上;阻障層配置於通道層上,阻障層具有凹槽,且凹槽下方之阻障層具有一厚度;汲極和源極配置於阻障層上;電荷陷阱層覆蓋凹槽的底面;鐵電材料配置於電荷陷阱層上;以及閘極配置於鐵電材料上。
官方說明文件#: H01L029/12
H01L029/06
H01L029/772
H01L021/8252
URI: http://hdl.handle.net/11536/151477
專利國: TWN
專利號碼: 201824542
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