標題: 介電質熔絲型記憶電路及其操作方法
作者: 莊紹勳
謝易叡
黃智宏
公開日期: 16-Mar-2017
摘要: 本發明提出一種可一次性寫入並重複隨機讀取的積體電路記憶體,此記憶體係利用介電質熔絲的方式,作為儲存元件的寫入操作,其主要特徵為,施加一電場於介電質使得其內之離子被析出或介電質熔毀,造成介電質結構損壞,呈穿孔狀,經由介電質穿隧的電流將由寫入前的高電導(低電阻)態轉變為低電導(高電阻)態,此機制已整合於超大型積體電路中完成積體電路記憶體之驗證,並利用CMOS製程實現之。
官方說明文件#: G11C017/14
G11C005/06
URI: http://hdl.handle.net/11536/151341
專利國: TWN
專利號碼: 201711048
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