標題: 具有結構強度較強的鰭之鰭式場效電晶體半導體裝置
作者: 簡昭欣
周承翰
鍾政庭
潘正聖
公開日期: 16-十月-2016
摘要: 一半導體裝置包含至少一鰭。該鰭設置於一半導體基板的一表面上。該鰭包含沿著一第一方向延伸的一主要部分,以及至少一次要部分,其沿著一第二方向自該主要部分向外延伸,該第一方向與第二方向並非同一直線。
官方說明文件#: H01L029/41
URI: http://hdl.handle.net/11536/132319
專利國: TWN
專利號碼: 201637199
顯示於類別:專利資料


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