標題: 記憶體結構
作者: 張俊彥
鄭淳護
邱于建
公開日期: 16-十月-2016
摘要: 一種記憶體結構,包括基底、第一介電層、導體層、鐵電材料層與電荷擷取層。第一介電層設置於基底上。導體層設置於第一介電層上。鐵電材料層與電荷擷取層堆疊設置於第一介電層與導體層之間。
官方說明文件#: H01L027/105
H01L021/8239
URI: http://hdl.handle.net/11536/132318
專利國: TWN
專利號碼: 201637172
顯示於類別:專利資料


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