標題: 半導體裝置及其製造方法
作者: 簡昭欣
潘正聖
周承翰
公開日期: 1-十月-2016
摘要: 本揭露係關於一些半導體裝置及其製造方法。在一實施例中,一半導體裝置及其製造方法包括圖案化一基底,使基底具有一第一區域以及延伸自基底的第一區域的一第二區域。沉積一隔離層於基底的第一區域的一表面上,以及磊晶形成一源極/汲極區域,其中源極/汲極區域位於隔離區上且鄰接基底的第二區域的數個側壁。
官方說明文件#: H01L021/336
H01L029/41
URI: http://hdl.handle.net/11536/132310
專利國: TWN
專利號碼: 201635390
顯示於類別:專利資料


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