標題: 高電子遷移率電晶體及其製造方法
作者: 張翼
林岳欽
謝廷恩
公開日期: 16-五月-2016
摘要: 本發明提供一種高電子遷移率電晶體,以閘極掘入結構搭配高介電常數氧化層以及氮化物介面鈍化層,具有高臨界電壓、高轉導、高穩定之汲極輸出電流以及高可靠度等特性及優點。
官方說明文件#: H01L029/778
H01L021/28
URI: http://hdl.handle.net/11536/132275
專利國: TWN
專利號碼: 201618304
顯示於類別:專利資料


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