標題: 記憶體結構及其製備方法
作者: 劉柏村
范揚順
陳鈞罄
公開日期: 16-三月-2016
摘要: 一種記憶體結構,包含一控制單元以及一記憶單元電性連接至控制單元。控制單元包含一源極與一汲極;一主動層,接觸源極之一部分及汲極之一部分;一閘極層;以及一閘極絕緣層,位於主動層與閘極層之間。記憶單元包含一底電極層;一頂電極層;以及一電阻切換層,電阻切換層位於底電極層以及頂電極層之間,其中電阻切換層與主動層之材質為氧化鋁鋅錫。
官方說明文件#: H01L027/115
H01L021/28
URI: http://hdl.handle.net/11536/132259
專利國: TWN
專利號碼: 201611243
顯示於類別:專利資料


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