標題: 非揮發性電阻式記憶體及其操作
作者: 莊紹勳
謝易叡
公開日期: 1-二月-2016
摘要: 本發明揭示一種記憶體單元及關聯陣列電路。記憶體陣列電路包括複數個記憶體單元,其中記憶體單元每一者包含儲存裝置及場效電晶體。儲存裝置包括頂部電極、底部電極及氧化物介電層。頂部電極由金屬或金屬氧化物介電質形成,連接至字元線。底部電極由金屬形成,氧化物介電層置於頂部電極與底部電極之間。場效電晶體包括:閘極端子,經連接至底部電極;源極端子,經連接至接地線;以及汲極端子,經連接至位元線。儲存裝置之電阻值可根據施加於字元線上的第一電壓以及施加於位元線上的第二電壓加以調整。
官方說明文件#: G11C013/00
H01L045/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/132246
專利國: TWN
專利號碼: 201604872
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 201604872.pdf