標題: 鑽石磊晶成長方式
作者: 張立
吳秉勳
丘坤安
公開日期: 1-六月-2014
摘要: 一種鑽石磊晶成長方式,包含:提供一鑽石基板;沉積至少一金屬層於鑽石基板上,其中金屬層之金屬成分係滿足與鑽石晶格差異性小於15%以及溶碳率小於2 wt%兩種特性至少其中之一之金屬;通入一反應氣氛;以及沉積一鑽石磊晶層於鑽石基板與金屬層上。藉由先形成一金屬層結構,以紓解成長磊晶鑽石薄膜所產生的薄膜應力,避免薄膜產生裂痕。如此則可獲得具有足夠膜厚且品質良好之磊晶層。
官方說明文件#: C30B025/02
C30B025/18
URI: http://hdl.handle.net/11536/106547
專利國: TWN
專利號碼: 201420820
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