標題: 一維鈦金屬奈米結構及其製造方法
作者: 陳澤龍
裘性天
李紫原
公開日期: 16-Jul-2014
摘要: 一種一維鈦金屬奈米結構及其製造方法,使用化學氣相沉積方式,並利用反應溫度300~900℃,沉積溫度為200~850℃,載流氣體之流量0.1~50sccm,反應時間5~60小時,將鈦金屬與四氯化鈦反應完成後,即可於耐溫基材上生成一維鈦金屬奈米結構,一維金屬奈米結構可包含鈦奈米線、鈦奈米帶、花狀鈦奈米線、鈦奈米柱、鈦奈米管以及鈦金屬與二氧化鈦核殼結構之不同型態,且可以很緻密的成長於耐溫基材上,而本發明的製作不需要藉由複雜的微影蝕刻技術,不用額外合成模板,也沒有配製溶液及混漿塗膜等繁雜步驟,藉此可大幅降低製作成本及縮短製作流程,並具有可以放大製程的特點。
官方說明文件#: B82B001/00
B82B003/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/106522
專利國: TWN
專利號碼: 201427892
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