標題: 控制奈米碳管管束密度的方法與奈米碳管的製造方法
作者: 郭正次
潘扶民
陳柏林
張峻愷
公開日期: 21-七月-2008
摘要: 一種控制奈米碳管管束密度的方法,適於利用一化學氣 相沉積法在一陽極氧化鋁模板的奈米級孔洞內成長奈米碳 管,其特徵在於陽極氧化鋁模板係經由一電解拋光步驟和 之後的兩階段陽極氧化處理,以形成具有陣列排列的奈米 級孔洞;以及利用控制化學氣相沉積法的反應氣氛之種類 與比例,來控制奈米碳管之管束密度。因此,本發明能有 效提昇奈米碳管之應用性。
官方說明文件#: B82B003/00
C23C016/26
C23C016/458
C01B031/02
B82B003/00
C23C016/26
C23C016/458
C01B031/02
URI: http://hdl.handle.net/11536/106228
專利國: TWN
專利號碼: I299032
顯示於類別:專利資料


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