標題: 半導體發光元件及其製作方法
作者: 邱清華
黃泓文
郭浩中
盧廷昌
王興宗
賴志銘
公開日期: 21-Nov-2011
摘要: 一種半導體發光元件,包含一基板、一形成於該基板上的p型半導體層、一形成於該p型半導體層上的發光層,及一形成於該發光層上的n型半導體層;在該n型半導體層表面形成有多數個垂直於該基板方向且深度不小於0.2微米的奈米柱體。藉由加深該等奈米柱體的深度,可以改變該半導體發光元件的發光場型,而提昇該半導體發光元件的正向出光強度及發光效率。
官方說明文件#: H01L033/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/106056
專利國: TWN
專利號碼: I353068
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