標題: 一維金屬奈米結構之製造方法
作者: 陳昱良
錢乃瑛
裘性天
李紫原
公開日期: 21-Oct-2014
摘要: 本發明提供一種一維金屬奈米結構之製造方法,係利用濺鍍方式濺鍍一層導電薄膜於一撓性基材上,以形成一導電基材;再將導電基材放置於電鍍溶液內進行電化學沈積,使導電基材上形成對應導電薄膜之一維金屬奈米線結構。因此,本發明的材料製作不需要複雜的微影蝕刻技術流程、及金屬奈米結構粉末混漿塗膜於基材上,即可得到具有高表面積的一維金屬奈米線線結構於撓性基材上。
官方說明文件#: C25D005/02
C23C014/16
C23C014/34
URI: http://hdl.handle.net/11536/105916
專利國: TWN
專利號碼: I457474
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